中國半導體產業發展不順，華為先前才傳出白手套事件，讓美國下令禁止台積電出口先進晶片給中國，如今又傳出，中國DRAM大廠「長鑫存儲」的合肥廠區出現人為疏失，結果導致數萬片晶圓報廢，相關主管皆遭到懲處，其中還包括一名從台積電跳槽過去的某廠長。
「長鑫存儲」數萬片晶圓報廢
根據SemiconVoice報導，長鑫存儲的內部文件指出，因為發生一起人為疏失意外，導致數萬片晶圓報廢，對生產線良率造成嚴重損失及重大品質缺失，無法如期交貨給客戶，影響公司聲譽。
經過查處，長鑫存儲真對相關的營運負責人、合肥晶圓廠廠長、北京晶圓廠廠長、合肥副廠長等高層都下達懲處，最重是營運負責人遭到停職。
高層是從台積電帶百人跳槽的他
值得注意的是，受到懲處的高層中，合肥廠長其實就是來自台積電上海松江廠的廠長，當年曾帶著台積電中國廠區的部分工程師、約百餘人一同投靠長鑫存儲，震驚業界，怎料如今也因此事受到牽連。
據悉，長鑫存儲DRAM月產能成長到20萬片規模，主要產出17奈米、18奈米的DDR4和LPDDR4，可以說是中國拚記憶體國產化的指標廠，更是中國扶持半導體國產化的重要企業，不過受到美國打壓，除了高利潤的HBM仍可支撐記憶體市場外，其餘產品市況並不佳。
