香港英文報紙《南華早報》1日引述知情人士說法，報導了北方華創科技集團（Naura Technology Group）正在研發光刻系統的消息，華為也申請了「自對準圖案四重化」（SAQP）的專利。雖然目前還不知道何時會有成果，但《南華早報》說，中國廠商正在嘗試各種變通方法，希望能在沒有艾司摩爾（ASML）光刻機支援的情況下自力生產五奈米晶片，突破美國對中國晶片製造能力的打壓。
熟知內情的消息人士對《南華早報》透露，中國的半導體設備龍頭北方華創去年12月就擬定計畫，要今年3月開始研發光刻系統，這個計畫已經超出該公司在蝕刻和薄膜沉積方面的專長。北方華創發言人1日對《南華早報》表示，此一消息並非事實，但也沒有進一步說明詳情。與華為（Huawei Technologies）合作的晶片製造設備開發商新凱來（SiCarrier）上個月申請一項專利，就揭示了一種被稱為「自對準圖案四重化」（SAQP）的技術專利。據稱這種技術可以在矽晶片上多次蝕刻線路、提高晶體管密度和晶片性能。
《南華早報》說，根據《彭博新聞》首先報導的專利文件，這種技術結合了先進的蝕刻和光刻技術，將有效提高電路圖案的設計自由度。更重要的是，若能將SAQP與ASML的舊款深紫外光（DUV）光刻機結合使用，中國就有機會製造出5奈米晶片，無需使用只有ASML才能提供的極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）光刻機。中國公司一直無法獲得EUV技術，為了提防美國政府祭出「卡脖子」的出口管制手段，中方近年儲備了不少DUV光刻機。
中國國家主席習近平上週在北京對荷蘭總理呂特（Mark Rutte）表示，任何力量都無法阻擋中國科技發展進步的步伐。中國商務部長王文濤則對荷蘭商務部長范李文（Geoffrey van Leeuwen）強調，荷蘭應履行合約義務，確保光刻機貿易「正常進行」。不過《南華早報》也說，中國長達十年的自主研發光刻機努力，確實碰到了難以克服的瓶頸。作為中國唯一的光刻系統製造商，上海微電子設備集團（SMEE）確實沒做出能與ASML比肩的先進光刻機。加上SMEE早在2022年12月就被華府列入貿易黑名單，這也意味著它更不可能取得突破。
《南華早報》指出，雖然目前還不能確定北方華創的研發工作能否取得成效，但相關進展表明了中國晶片產業可望突破美國制裁的決心。《南早》強調，這些努力都是在「絕對保密」的情況下進行的，就是希望避免受到華府的進一步制裁，因為美國政府認為，這些做法都是在規避現有的出口管制。彭博新聞指出，在華為取得先進晶片的明顯突破後，美國政府正在考慮將與華為有關聯的中國半導體公司增列黑名單。分析家說，中國企業參與整個晶片工具供應鏈乃是意料中事，因為中國政府正從各個戰線調集資源、企圖突破美方封鎖。
