中國工業和信息化部公布了一份重大技術裝備推廣目錄，其中包括一項國產「氟化氬光刻機」（DUV光刻機）。這台DUV光刻機的核心技術指標包括：晶圓直徑300mm、照明波長248nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm。中國媒體指出，這意味著中國已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。
過去中國一直依賴荷蘭艾斯摩爾（ASML）公司的光刻機設備。但受到美國的出口管制限制，ASML無法向中國出口其最先進的極紫外光（EUV）光刻機。這次中國自主研發的DUV光刻機，填補了這一空白，中國工信部表示，重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全，這台DUV光刻機是國內實現重大技術突破、擁有自主知識產權的裝備產品。
儘管中國在DUV光刻機領域取得突破，但美國和荷蘭仍在進一步收緊對光刻機設備出口的管制。2023年9月，美國開始限制ASML公司向中國出口1970i和1980i型號的DUV光刻機，理由是這些設備包含美國零件。
為了協調美國和荷蘭的出口政策，荷蘭政府於2024年9月6日宣布，將對ASML的1970i和1980i型DUV光刻機實施出口許可管制。這意味著，ASML需要獲得荷蘭政府的許可，才能向中國出口或提供維修服務。
荷蘭貿易部長克萊弗表示，這一決定是為了確保國家安全。她說，由於技術發展，這些特定生產機器存在更多安全風險，因此需要加強出口管制。中國商務部對此表示「強烈不滿」。中國指責美國為了維護其「全球霸權」，不斷向盟友施壓，要求其收緊對中國的半導體和相關設備出口管制。中國呼籲荷蘭政府不要濫用出口管制，避免損害中荷半導體合作的共同利益。
