中國工業和信息化部近日在官方網站發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知。該目錄涵蓋了多項國家重點發展的技術裝備，其中包括了積體電路生產領域的重大突破。工信部強調，這些重大技術裝備對國家綜合實力和安全至關重要，要求地方政府加強相關支持政策的協同。
根據內容指出，中國已成功研發出一種被稱為「氟化氬光刻機」的深紫外光（DUV）曝光設備。這台設備的核心技術指標包括300毫米晶圓直徑、248納米照明波長、65納米以下分辨率，以及8納米以下套刻能力。這意味著該設備理論上可以用於生產8奈米及更先進製程的晶片。
中國自製DUV填補技術空白 對半導體產業鏈影響深遠
業內專家指出，儘管與全球領先的荷蘭艾司摩爾（ASML）公司的設備相比還存在一定差距，但中國自主研發的DUV曝光機無疑填補了國內半導體設備製造的一項重要空白。這一突破為中國半導體產業鏈的自主可控提供了關鍵支撐，有望減少對進口設備的依賴。
近期，美國和荷蘭相繼宣布收緊半導體製造設備的出口管制措施，其中包括對ASML部分中階DUV設備的限制。在此背景下，中國國產DUV曝光機的研發進展引發了廣泛關注。然而，截至目前，中國官方和相關企業尚未就此項技術突破發布正式聲明。
