英特爾（Intel）4奈米預計今年下半年量產，將採用極紫外光（EUV）系統，與7奈米相比，在相同功耗可提升效能逾20%。
英特爾近期於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會，公布4奈米（Intel 4）製程的技術細節。英特爾今天發布新聞稿表示，相較於7奈米（Intel 7），Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能，高效能元件庫密度是2倍。
英特爾指出，Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸，持續朝向微縮的方向推進，同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件的尺寸。
透過鰭式場效電晶體（FinFET）材料與結構上的改良提升效能，英特爾表示，Intel 4單一N型半導體或是P型半導體，其鰭片數量從Intel 7高效能元件庫的4片降低至3片。綜合上述技術，Intel 4不僅能夠增加邏輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。
宣告將在2025年「重回領先地位」
英特爾指出，Intel 4加入網格布線方案，簡單化並規律化電路布線，提升效能，同時改善生產良率。Intel 4採用新的金屬配方強化銅，使用銅做為導線、接點的主體，取代Intel 7所使用的鈷，外層再使用鈷、鉭包覆。
英特爾並廣泛使用EUV減化製程，可大幅度減少光罩數量和製程步驟。英特爾表示，Intel 4進展順利，將依計畫於今年下半年量產，以滿足電腦客戶端產品Meteor Lake的需求。
英特爾更指出，將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV系統，並將於2025年重回半導體製程領先地位。
責任編輯/周岐原
