其次，再將沒有帶電的另一枚金屬板B平行靠近，結果金屬板B就會因為靜電感應被金屬板A的正電荷所吸引，內側就會產生負電荷，與之等量的正電荷則會在金屬板B的外側極化。結果，金屬板A的正電荷就也會集中在內側。
接下來，若是將金屬板B與地面接觸，金屬板B外側極化的正電荷就會逃到地面上去。但是，金屬板B內側的負電荷會受到金屬板A正電荷的吸引而無法移動。最後電容器的內部電場就會積滿了電荷。
在此，將金屬板B置換為P型半導體基板的就是NMOS。
若給予金屬板A的閘極夠高於源極的電位，閘極就會被賦予正電荷，而與閘極相對的P型半導體基板表面則會充滿了負電荷。這個負電荷也就是所謂的電子只要夠多，半導體基板的表面就會「反轉成N型」，並且形成電子通道的路徑。
就像這樣，來自閘極的電場效果就控制著通路。
但是，除了閘極之外，還潛藏有會影響通路的電容器。那就是汲極。
其實在汲極與半導體基板的介面上，汲極的電子會擴散到P型半導體基板上，而P型半導體基板的電洞則會擴散到汲極上。有點像是拿掉了容器中預先放置用以分開砂糖與鹽巴的板子，結果兩者混和在了一起。不同的是，電子與電洞之間有靜電的作用，只會混雜一點點，不會再擴散更多。
結果，在汲極與半導體基板的介面上，就形成了空乏層，沒有能自由移動的電荷。這就形成了絕緣膜，打造出了電容器來。
若縮小電晶體，源極與汲極的距離就會縮短，汲極的空乏層則會接近源極。也就是說，從源極來看，汲極也是小的閘極。
因此，即便關閉閘極，只要給予汲極正的電位，封閉源極電子的障壁就會稍微下降而漏電。
即便只有一點點的漏電，若是將電晶體集成為一百億個時，漏電就會變得很大。
漏電的原因出在閘極的控制力變糟了。那麼，該怎麼做才能改善閘極的控制力呢？
首先採取的方法是改變材料。
將閘極的氧化膜改變成電容率較高的材料。這也是一個有效的方法，但是隨著微細化的進展，這樣的效率最終也變得比較低了。
其次是只能改變構造。
因此將閘極一分為二，將構造改變成是從兩側來夾住通道。在通道下方製作新追加的通道會提高製造成本，所以就將通道立在半導體基板的表面，在兩側製作閘極。
這就是FinFET（圖3-3中央）。這個場效電晶體（Field-Effect Transistor; FET）的得名是源於其形狀很像魚鰭（Fin）。自16 nm世代起就採用了這樣的電晶體。
