中國記憶體晶片企業長鑫存儲（CXMT）近年來迅速擴展版圖，成功打入全球DRAM市場，並與南韓三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）及美國美光（Micron）等巨頭正面競爭。據深圳顧問公司前瞻產業研究院的數據顯示，長鑫存儲的市占率已從2020年的接近0，上升至2024年的5%，並有可能持續成長，進一步改變全球記憶體產業格局。
低階市場快速擴張，挑戰南韓霸主地位
據英國金融時報（FT）報導，長鑫存儲目前主力產品為DDR4記憶體，市場研究機構SemiAnalysis指出，該公司自2022年開始積極擴大產能，當時月產量為7萬片晶圓，而截至2024年，已提升至每月20萬片晶圓，市占率達15%。
此外，長鑫存儲已於去年開始量產DDR5記憶體，逐步挑戰南韓企業在高階記憶體市場的主導地位。
顧問公司TechInsights副董事長G Dan Hutcheson認為，長鑫存儲的策略與1980至1990年代南韓企業在記憶體市場的擴張模式相似，當時南韓業者透過規模化生產壓低成本，最終成功擠壓日本廠商的市場空間，而如今類似的模式正發生在南韓企業身上。
進軍HBM市場加劇競爭壓力
除標準型DRAM產品，長鑫存儲也積極布局高頻寬記憶體（HBM）市場，此類記憶體是人工智慧（AI）運算的重要元件，應用於OpenAI的ChatGPT等大型語言模型，目前長鑫存儲也在上海附近建設一座占地28萬平方公尺的晶圓廠來負責生產HBM2產品。
雖然HBM2相較於SK海力士即將量產的HBM4仍落後兩代，但長鑫存儲的擴張仍可能進一步加劇競爭，特別是三星目前仍在努力通過輝達（NVIDIA）的認證，以取得HBM供應商資格，而長鑫存儲的進場無疑將增加市場變數。
價格戰壓縮南韓企業獲利
野村證券指出，由於長鑫存儲擴大DDR4產能並進軍DDR5市場，導致市場供應增加，壓低了記憶體價格，直接衝擊三星與SK海力士的營收，其快速擴張不僅擾動市場格局，也加速了記憶體價格的下降。
此外，三星在最新財報中坦承，DRAM與NAND市場成長受限，公司將減少對傳統記憶體的投資，2024年第3至第4季的營業利益下滑29%。
SK海力士則表示，受中國記憶體企業擴張影響，其第4季的獲利低於市場預期。
美國對中國半導體產業的出口管制也是影響長鑫存儲發展的重要因素，其2023年曾試圖透過出口限制，阻止中國企業獲取先進半導體技術。然而，分析師指出，長鑫存儲利用出口管制漏洞，仍能獲得部分美國半導體設備與技術支持，推動其高階晶片製造進展。力積電憑什麼擠入「台積電供應鏈」？晶圓品質完勝「這1國對手」！下一步搶攻輝達訂單？更多文章
此外，美國商務部2024年初將長鑫存儲從出口管制名單中移除，使其能與美國供應商恢復合作，這也為其未來的技術發展提供了更大空間。
