第二次世界大戰，是積體電路發明的重要起點，而在20世紀60年代的美蘇爭霸過程中，國防市場是美國積體電路的主要市場。
其中，1962年，德州儀器為「民兵──Ⅰ」型和「民兵──Ⅱ」型導彈制導系統研製的22套積體電路，是首次國防運用。次年，仙童半導體在142號專案「平面控制設備」（Surface Controlled Devices）研製過程中，弗蘭克·萬拉斯（Frank M. Wanlass）和薩支唐·沙赫（Chihtang Sah）首次提出了互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，簡稱CMOS）技術，並在固態電路大會上確定了CMOS特徵──「靜態電源功率密度低，工作電源功率密度高，能夠形成高密度的場效應真空三極管邏輯電路」。
如今，全球絕大部分的積體電路都是基於CMOS工藝開發的，但是萬拉斯當年在為CMOS申請專利後沒幾天，便離開了仙童半導體，原因是仙童半導體宣佈沒有確切實驗資料前，不會採用CMOS技術。此後，美國無線電公司（Radio Corporation of America，也就是RCA）於1968年由亞伯·梅德溫（Albert Medwin）研發團隊成功開發了CMOS積體電路。此時，摩爾已經提出了摩爾定律，而貝爾實驗室則已使用比較完善的矽外延平面工藝製造了大型積體電路。
在這個歷程中，肖克利實驗室的失敗與仙童半導體的成功，與兩者對技術的認知不同有關。「電晶體之父」肖克利為積體電路技術的發展奠定了基礎電子元件的基石，但是在肖克利實驗室的開發中，電子元件是相互獨立存在的，無法實現大規模的生產。仙童半導體在摸索中找到了辦法，赫爾尼帶領團隊將氧化物的平面保留在矽的頂部，實現了電晶體的大規模生產。
一開始，諾伊斯將其稱為「單片電路構想」。1959年1月23日，諾伊斯在日記中寫下了靈感：「把多種元件放在單一矽片上將能夠實現工藝流程中的元件內部連接，這樣體積和重量就會減小，價格也會降低。」在認真審視赫爾尼的平面技術後，諾伊斯認為該技術可以把電晶體不同區域精確地連接起來：只需要把細金屬絲布在氧化物上，使元件和導線合成一體，所有的電晶體內部連接就可以在一次生產中實現。這便是積體電路的雛形。
在諾伊斯的矽基積體電路生產工藝實現前，位於達拉斯的德州儀器公司在國防用小型電腦設備的研製需求下，已經由34歲的基爾比完成了人類歷史上第一塊積體電路樣品。兩者相比，基爾比在鍺晶片上研製積體電路，而諾伊斯則將眼光瞄準了矽基積體電路；基爾比採用堪比外科醫生的全手工工藝完成，而諾伊斯則實現了積體電路的工廠化流水線生產。
