目前，被認為有可能獲得《晶片法案》補貼的一些大公司基本沒有公開發表評論。
三星表示，公司一直在「與美國和韓國的相關政府部門密切探討」，計劃在評估資金細節後確定其下一步行動。
三星正在德克薩斯州泰勒市建造一座先進製程晶片製造廠，項目造價170億美元；去年該公司還提出了未來可能在德克薩斯州晶片製造廠方面投資至多2,000億美元的計劃。
海力士半導體已經披露了將在美國興建一座新的先進製程晶片封裝廠的計劃，建成後這裡將進行半導體製造過程的最後步驟。該公司表示，通過韓國和美國政府之間的會談，不確定因素已被消除，公司將密切關注華盛頓的公告。
台積電不予置評。該公司計劃斥資400億美元在亞利桑那州打造一個廠區，生產先進製程晶片。
美國總統拜登（Joe Biden）在去年8月簽署成為法律的《晶片法案》旨在重振美國在先進半導體技術領域的領先地位，並抵禦來自中國的競爭。該法案禁止企業在相關外國國家進行涉及尖端和先進半導體產能實質性擴張的重大交易。
擬議的規則將「重大交易」定義為規模至少10萬美元的交易，將「實質性擴張」定義為設施產能提高5%。這些規則涵蓋的時間範圍為10年，這將允許公司對其長期中國戰略做出調整。
研究機構榮鼎集團（Rhodium Group）的中國企業諮詢總監Reva Goujon說：「美國這種做法本質上是利用產業政策，將半導體供應鏈引向它想要的方向，而這個方向顯然是遠離中國的。」
她說，這項政策向這些公司發出了一個「明確的信號，即在中國生產尖端半導體將是不可持續的」。
美國商務部直截了當地解釋了這種限制的必要性。
商務部在擬議規則的文本中說：「這些門檻旨在限制試圖擴大製造能力的交易，即便規模不大的交易也不會放過。」該規則現在要經過60天的公眾評議期，然後在今年夏天敲定。
針對接受補貼資金的公司與有關外國實體進行聯合研究和技術許可的活動，該計劃也施加了一些限制。
對於晶片製造商來說，設在中國的工廠代表著多年的投資，且這些工廠佔全球晶片產能的相當大一部分。
三星在中國中部城市西安建有一家NAND閃存晶片廠，在中國東部城市蘇州有一家晶片封裝廠。海力士半導體在無錫運營DRAM內存晶片生產廠，並通過2020年達成的一項交易擁有英特爾公司（Intel Corp., INTC）在大連設立的NAND閃存晶片工廠。
台積電在中國的南京和上海都有晶片生產廠。
根據科技市場研究機構TrendForce的數據，截至去年，三星的西安工廠產量約佔全球NAND閃存產量的16%，而海力士半導體的無錫工廠約佔全球DRAM內存產量的12%，其大連工廠約佔全球NAND閃存產量的6%。
根據TrendForce的數據，台積電的上海和南京工廠共占該公司晶片代工總產能的6%。
