中國半導體突破8奈米?台積電前研發處長楊光磊坦言有可能:但這幾點存疑

2024-09-21 09:00

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曾任中芯國際獨立董事、台積電前研發處長的楊光磊認為,中國製作出8奈米晶片絕對有可能,也沒道理做不出來。(資料照,取自Pixabay)

曾任中芯國際獨立董事、台積電前研發處長的楊光磊認為,中國製作出8奈米晶片絕對有可能,也沒道理做不出來。(資料照,取自Pixabay)

美國對中國祭出晶片禁令之際,中國半導體技術傳出有重大突破,中國工信部日前指出,其國產氟化氬(DUV)光刻機可生產8奈以下的晶片,引發外界關注。對此,曾任中芯國際獨立董事、台積電前研發處長的楊光磊認為,中國製作出8奈米絕對有可能,也沒道理做不出來,但良率與功能仍要抱持存疑態度。

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楊光磊在節目《永康新世界》指出,美國限制提供半導體相關設備與材料,以此卡住中國半導體發展的進度,使中國被迫國產化,而中國要自主做設備,應是希望傾全國之力來做。

對於中國光刻機傳出突破到一定程度,可自產8奈米晶片,楊光磊則表示,根據中國的奈米技術,目前中芯國際(SMIC)用艾司摩爾(ASML)的機器,製作7奈米晶片絕對沒問題,因為台積電第一代的7奈米也未使用到極紫外光(EUV)機器。

至於用乾式的氟化氬光刻機,楊光磊說,該光刻機雷射波長193奈米,要製作出8奈米的技術,絕對是可能的,因為193奈米不斷除以2就會接近8奈米,所以技術上絕對可行,但良率與功能仍要抱持存疑態度。他也說,其實氟化氬光刻機最早在半導體製程裡用於130奈米,大概是1999年左右,當年艾司摩爾、尼康(Nikon)、佳能(Canon)等都能做,所以要說中國今天做不出來,也完全沒道理。

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