AI人工智慧的特點之一，即是迅速讀取、消化整理大量資料後，產出符合用戶需求的文本、圖像等內容；AI所要使用的資料庫，都存取在記憶體內。因此讀取、寫入速度快速的高級記憶體，成為AI浪潮中同樣重要的角色。此前我們介紹過放大容量、體積不增加的HBM（高頻寬記憶體），今天則介紹記憶體市場中另一塊重要的版圖，雙倍資料速率記憶體（DDR）系列。
雙倍資料、加倍速：名字不常見，卻是手機和筆電的常用技術
DDR全名為雙通道的同步動態隨機存取記憶體（DDR SDRAM, Double Data Rate SDRAM），由單次動態隨機存取記憶體（SDRAM, Synchronous Dynamic Random Access Memory）發展而來。SDRAM意指記憶體每個周期只能讀寫一次，比如一次動作只能打開APP，不能同時切換至不同程式，或執行下載、刪除其他檔案等動作。
DDR則具有雙通道，可同時執行讀取和寫入一次。在核心時脈不變的情況下，DDR的傳輸效率為SDR的2倍，因此大大提升了資料存取的速率。這只是第一代的DDR，往後每一代更新的DDR後綴數字，表示了DDR同時讀寫次數亦加倍，比如DDR 2表示同時讀寫2次、DDR 3可同時讀寫3次。根據集邦科技報告顯示，DDR技術的製造週期和良率等條件優於HBM，主要用於手機、個人電腦和消費性電子產品當中。
2020年，SK海力士首次發表DDR 5產品，其傳輸速度可達4,800至8,400 MT/s，傳輸速度達到DDR 4的兩倍，而且功耗更低，DDR 5可以使用比DDR 4更低的1.1V電壓運行。因此全球DRAM大廠樂觀看待DDR 5進入供應鏈，提高出貨動能的表現。
然而礙於DDR 5製造成本和定價高於DDR 4，且HBM排擠DDR 5等既有DRAM產品的產能，供應商對定價態度仍強硬。消費性電子產品的終端需求不如廠商預期，讓供應鏈的庫存去化速度放緩，集邦科技調查顯示，採購態度轉為被動。
南亞科持續虧損，寄望DDR5改善表現
這讓專注於DDR產品部署的台灣記憶體大廠南亞科（2408.TW）的營收表現，難以顯現。9日舉行2024年第三季法說會的南亞科技觀察，消費性電子的終端需求不如預期，且觀察短期復甦力道不夠。南亞科技受困於地震損失，停電損失和匯率等因素，已連續8個季度虧損，今年上半年稅後後EPS為-0.65元，僅比去年同期的-0.79元小幅改善。
總經理李培瑛表示，南亞科的10奈米第二代製程（1B）技術DDR5，將自今年第四季開始投片，預計將在未來1、2季開始貢獻營收，能否進一步控制虧損，仍有待觀察。
台灣重要的記憶體相關供應商有南亞科和華邦電（2344），記憶體IC晶片設計商晶豪科（3006） 等業者。華邦電今年上半年轉虧為盈，稅後EPS為0.30元，優於去年同期的-0.16元；晶豪科在本業虧損縮小、業外收益挹注之下，稅後EPS為0.67元，也優於去年同期的-1.68元。
責任編輯/周岐原
