市場傳出的內部投影片直指，台積電（2330）3奈米改良型「N3E」製程的良率進度，似乎比原本規劃還要快。
台積電3奈米N3E良率更勝以往
Tom`s Hardware 22日報導，一張在中國微博流傳的台積電內部投影片顯示（見此），N3E的研發狀況良好且進度超前。其中，256Mb SRAM平均良率接近80%、行動與高效能運算（HPC）邏輯測試晶片的平均良率接近80%，而良率驗證的環形振盪器（R.O）則超過92%。
據報導，N3E是台積電3奈米製程「N3」的改良版，台灣消息傳出，N3預定9月量產。外洩的投影片暗示，N3E SRAM的良率顯著高於N3。
Tom`s Hardware直指，N3E製程進展良好的消息，其實並不令人意外。台積電以改良過的製程視窗（Process Window）設計N3E，電晶體密度略低，這一般都伴隨較佳良率。N3E的其他優點則是更快的時脈速度及更少的耗電量。
三星3奈米量產規模不大
三星電子（Samsung Electronics）6月底宣布量產3奈米晶片、搶下頭香，似乎在先進晶片競賽中搶先一步。然而，日經亞洲評論7月10日報導，首爾金融業界人士認為，三星聲明並未透露全貌，「誰是客戶」恐是重點所在。第一批晶片的出貨目的地更別具意義。三星尚未揭露3奈米製程技術的客戶，新聞稿僅說這些晶片一開始將提供「高效能運算應用」。
另外，3奈米製程晶片並未交由裝有最新晶片設備的平澤市（Pyeongtaek）晶圓代工廠處理，而是在專門研發製程技術的華城（Hwaseong）園區製造。日經指出，這也讓觀察人士認為，生產規模可能不大。供應商等消息透露，三星3奈米晶片第一批客戶包含中國的加密貨幣採礦商。不過，由於近來加密貨幣報價崩跌，這些客戶長期可能不牢靠。
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