《日本經濟新聞》 15日報導，日本政府為了搶奪台積電在次世代半導體的領先地位，目前已確立與美國企業攜手研發次世代半導體的大方向，並將生產基地整備完成的時間訂在2025至2027年。《日經》指出，日本希望藉著在國內量產最尖端的半導體，提供對經濟安全日益重要的半導體穩定採購。
《日經》指出，日美政府已在今年5月上旬確立合作研發次世代半導體的基本原則，預計今年夏天就會展開共同研究的工作。不過日美兩國現在才準備起跑確實有些遲了，因為台積電預計今年下半年就會開始量產3奈米的產品。至於2奈米的工廠今年也將開始動工，預計2025下半年就會進入量產。
《日經》透露，日美兩國政府希望能夠直接研發2奈米的產品，並且在2025至2027年建立次世代半導體的生產基地。所謂2奈米是指電路線寬，半導體的電路線寬越窄，越有利於電子產品的小型化，也越容易實現更高性能。包括量子電腦、數據中心、最先進的智慧型手機，甚至戰機與飛彈等軍武的性能，都與其所搭載的半導體息息相關，因此半導體的研發生產攸關國安與國防。
台積電從1987年成立之初，從台灣工研院移轉3.5微米及2.0微米製程技術後，1999年便領先全球推出首個0.18微米低耗電製程技術。之後包括0.13微米、90奈米、65奈米、40奈米、28奈米、20奈米、16/12奈米、10奈米、7奈米、5奈米製程技術的研發，台積電都一路保持領先。
雖然美國與日本決定聯手追趕台積電，不過目前雙方僅確立了合作的基本原則，實際投入研究與製造的廠商目前尚未敲定。兩國也不排除直接設立新公司，或者由日本企業設立新生產基地等方案。預計今年7月的「2+2」部長級會議將磋商後續細節，預計經濟產業省也將針對研發經費與設備投資提供補助。
《日經》指出，美國的IBM公司在研發2奈米產品上具有優勢，因為IBM在2021年曾經試做成功，英特爾（Intel）目前也在積極從事2奈米的研發工作。至於日本方面，筑波市的產業技術總合研究所正與東京電子（東京エレクトロン）與佳能（Canon）合作研發包括2奈米在內的尖端產品，包括IBM與台積電也都派員參與。
在半導體材料方面，包括日本的信越化學工業以及半導體矽晶圓大廠勝高（SUMCO）都被認為是口袋名單；製造裝置方面，則以美國的應用材料公司（Applied Materials）呼聲較高。美日兩國很可能會跟上述企業展開合作，確立次世代半導體的量產能力。
《日經》指出，台灣在中國的武力威脅之下，一直希望將最尖端的半導體技術留在台灣，藉此提升台灣的地位與重要性。不過美日兩國為了確保自身的半導體量產技術，也一直希望說服台積電到國外設廠。其中台積電雖然同意到日本熊本縣開設工廠，但生產的不過是10到20奈米的產品，並非台積電的最尖端技術。日本若能成功研發生產次世代半導體，除了能夠振興半導體產業，如何培育必要人才也是必須面對的課題。
