第三代半導體之一氮化鎵（GaN）廠商主要由歐美日地區廠商掌握，供應鏈佔整體60%以上，台灣僅佔6%以下，且多集中在材料端。然在台半導體廠持續擴大在第三代半導體的投入時，已有部分的成果，以漢民集團、環球晶投入最多，晶圓代工廠世界先進亦有斬獲，台達電也透過子公司插旗，台廠在第三代半導體逐漸整裝集結部隊成軍。
其中，世界先進（5347）昨（11/22）宣布，八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產。
世界先進耕耘GaN技術始於2018年，以Qromis基板技術（簡稱QST TM ）進行八吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，於今年第一季開發完成，於第四季成功量產，此外，世界先進同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。
台亞（2340）亦積極佈局第三代半導體生產，昨（11/22）日法說指出，包含台亞、旗下積亞半導體在內，將投入逾30億元資本支出量產，其中台亞以矽基氮化鎵（GaN on Si）為主力，明年底小量出貨，積亞的碳化矽（SiC）預計2024年放量，挑戰第三代半導體營收占比30%。
其中，台亞近日已引進第一台長晶爐，是磊晶是整段製程的重中之重，若明年能取得8吋生產設備，台亞也不排除6吋廠、8吋廠並進的方式跨足氮化鎵，要明年視設備取得狀況。
漢民集團的漢磊（3707）董事長徐建華日前參加成電論壇時亦表示，第三代半導體廠商主要集中在歐、美、日，其中SiC基板穩定供應是關鍵，目前碳化矽基板供應最大是Wolfspeed，市占達6成；然而，台灣有很好的ICT基礎，在此基礎下，台灣的第三代半導體有很大的發展空間，其中，漢磊就是亞太區唯一可做SiC跟GaN代工服務的廠商。
徐建華表示，由於化合物半導體跟消費性需求不同，主要在電動車、綠能等領域，漢磊及轉投資嘉晶在氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代化合物半導體目前產能滿載及供不應求，並無反轉疑慮，且未來擴產進度不變。
然而對於第三代半導體從6吋轉往8吋趨勢，徐建華認為，要轉8吋沒那麼容易，長出來的device還要把它切掉，非常浪費，且價格部分亦未達甜蜜點，8吋基板面積是6吋的1.8倍，但價格卻是6吋的3倍。
就連電源供應器大廠台達電也對於第三代半導體躍躍欲試，9月宣布旗下專注於第三代半導體氮化鎵（GaN）技術的子公司碇基半導體，透過增資，獲得力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展。
另台灣第三代半導體要角環球晶（6488），則同步耕耘碳化矽和氮化鎵，環球晶董事長徐秀蘭先前表示，氧化鎵在研發階段（RD level）；環球晶把握自己的優勢，將公司定位在材料供應商，並不做到元件端，並且將投入長晶爐自製，預計需2年時間開發。整體而言，第三代半導體最快在今年第四季就有營收貢獻。
