4. AI 伺服器高階晶片散熱方案
隨著AI運算需求的增加，目前高階AI晶片發熱量已達1000W，然而傳統氣冷模組的750W散熱能力已達上限，未來AI伺服器晶片散熱將以液冷技術為主。在經濟部技術司的補助下，工研院從晶片均溫蓋板（Vapor Chamber Lid；VC Lid）著手，開發出應用於浸沒冷卻的均熱板蒸發器（VC Boiler）元件貼附於晶片之上，利用高均溫性與外表面微結構，加速沸騰蒸氣泡生成，並達成更高效能的晶片熱量移除效果。此外，針對浸沒式冷卻技術，工研院攜手其陽科技、一詮精密、哈伯精密與超淨精密等設備廠商，並採用AMD解決方案，成功進行產業上中下游的串連合作，藉此協助國內產業搶攻千億產值的AI伺服器散熱市場。
5.單站多功能精密元件檢測系統
半導體精密元件檢測以多站檢測模式為主，不僅耗時及設備成本高，且無法滿足先進封裝層疊結構共視野分析的檢測需求。本系統的一站式完整解決方案，提供單站2D顯微/3D干涉的多參數檢測模式，可共視野檢測晶圓及元件的關鍵尺寸、缺陷、高度及粗度參數。多站合一的導入將減少50%檢測時間，解決多站重複傳輸重新對位問題，亦降低40%的設備成本。本技術可直接應用於形貌關鍵尺寸、疊層偏移等場域監控，滿足先進封裝元件複雜度日益增加的檢測需求。
6.陣列3D檢測技術
全球半導體與電子製程先進封裝產能持續成長，因應檢測效率提升需求，工研院全臺首創微型化陣列式鏡組技術，達成2x2多鏡頭自動化顯微校準，可應用於奈米級檢測如先進封裝、μLED、被動元件等產業檢測設備，相較傳統單鏡頭檢測系統，本技術擴大４倍檢測視野，維持高精度，檢測效率提升4至10倍，滿足奈米級線上檢測在製程上的要求，已與國內設備商及系統整合商合作開發雛型設備，並完成國家標準技術研究所(NIST)標準件、μBump、μLED樣品驗證。
7.EUV計量標準
微影是製造半導體的關鍵工藝，隨著終端產品效能不斷提升，電晶體尺寸越縮越小，需要EUV曝光機才能在晶圓表面上蝕刻出微小電路，而精準確量測曝光機上EUV光源的波長、輻射計量等參數，正是確保整個微影製程良率的關鍵。工研院打造臺灣首套EUV光譜響應校正系統，建立光偵測器之光輻射特性量測技術、10奈米至20奈米波長量測技術，一舉將光輻射標準由UV推展至EUV，並透過輻射計量校正、波長校正等來協助正確量測曝光機台的EUV參數，進而調校機台以確保打出穩定EUV波長、正確輻射計量，既滿足目前半導體產業中EUV微影製程檢測設備的量測需求，更有助於先進半導體製程、先進材料開發。
