韓國記憶體大廠SK海力士本週丟出2顆震撼彈，再次鞏固其產業領導地位。
首先是高頻寬記憶體-16層HBM3E已完成研究，將在明（2025）年的ISSCC（固態電路研討會）發表論文，分享產品概念；固態電路研討會被譽為IC產業的年度盛事，全球頂尖半導體研究者和企業都會到場，分享創新技術和研究成果。韓媒認為這將更進一步，確保SK海力士的8層、12層HBM技術能力。
除此之外，SK海力士昨(26)日宣布第五代的12層HBM3E已開始量產，預計年底開始供貨給客戶，此前這項產品已通過輝達的品質驗證。SK海力士表示，12層HBM3E的容量增加了50%，用在Llama-3-70B時，每秒可讀取35次700億個參數。
SK海力士率先量產，股價明顯領先三星電子
全球高階記憶體市場由韓國SK海力士、美國美光科技、韓國三星、日本富士電通等廠商主導。其中高階記憶體HBM3E，以其高頻寬、高能效、體積更小的的特性，成為AI晶片的重要元件。據集邦科技調查，輝達的H200使用6顆HBM3E、B100則用上8顆HBM3E；英特爾於2022下半年推出的Gaudi 2則採用6顆HBM2E。
上個月，路透社引述未經證實的消息人士稱，三星的8層HBM3E已通過輝達的測試，讓韓國兩大記憶體廠商之間的競爭愈趨白熱化。這個角逐或許從股價已可見到端倪：SK海力士（000660.KS）今（27）日收盤價183,800韓元，今年來股價上漲29％；三星電子（005930.KS）則收在64,200韓元，今年來股價下跌19.4％。這也是最近20年來，SK海力士股價表現首次明顯超越三星電子。
責任編輯/周岐原
