曲建仲說，儘管中國新一代國產光刻機的65奈米分辨率，若採用多重曝光就有可能做到更新進的製程節點，但會受限於套刻精度帶來的誤差疊加放大，當重複曝光多次時，誤差就會隨之放大，因此在製作上非常困難；若中國國產光刻機要製作8奈米製程，需要自對準八重曝光（SAOP），也就是重複曝光3次，才能達到8奈米的結構，但幾何形狀會受到嚴重扭曲。
多重曝光就能做？曲建仲：中國最多到55奈米
曲建仲直指，即使設備再精密，只要重複曝光很多次，最後圖形還是整個都會糊掉，這樣製作出來的晶圓，良率就會很低，因此即使是很高階的曝光機，目前大多也只能重複曝光兩次，也就是自對準四重曝光（SAQP）的階段，且自對準多重曝光也需要更低的疊對誤差；而依照業界經驗，晶圓加工過程還會再有誤差，整體套刻精度實際運用會比出廠時更低。
曲建仲表示，中國新一代光刻機的套刻精度，實際運用在產品上大約是11到12奈米，尤其若要採用自對準曝光，光刻機所需的套刻精度就要砍半，換言之，中國國產光刻機若要採用自對準雙重曝光（SADP），所需的套刻精度至少需要6.5奈米，等於中國新一代光刻機，連要做雙重曝光都還做不到。
至於中國國產光刻機製程能力如何？曲建仲引述媒體報導，據中國某光刻機大廠內部專家說法，該款分辨率小於65奈米的氟化氬光刻機，配合好的光學臨近修正（OPC）演算法，可以推進到55奈米製程。總體而言，中國新一代國產光刻機，應只是先前分辨率為90奈米光刻機的改良版，目前仍只能用於55奈米至65奈米的成熟製程晶片製造。
曲建仲也說，中國新一代國產光刻機，還遠達不到生產28奈米製程晶片的條件，但相較先前分辨率為90奈米的中國國產光刻機，新一代光刻機確實有一定的進步，但和國外先進水準的差距仍存在，無法盲目樂觀。尤其，中國要從乾式DUV到浸沒式DUV還有需有技術難題要解決，目前中國新一代光刻機的製程能力，大該就是落在55奈米到65奈米之間。
