中國因為遭到美國晶片管制，製造晶圓的光刻機輸入受限，而北京政府日前宣布中國製光刻機取得重大進展，解析度達到65奈米，帶動中國晶片股本周大漲。對此，分析師楊應超表示，中國成功自產光刻機固然值得他們高興，但重點在於65奈米其實還落後台積電3奈米整整8個世代，這中間的世代差距，中國至少要5到10年才能趕上現在的進度。
楊應超在節目《TVBS文茜的世界財經周報》指出，中國半導體最大的問題就是供應鏈被卡住，其中最大關卡就屬於光刻機，因此中國自產光刻機成功，他們確實值得高興；不過重點還是在這台光刻機只有65奈米，「落後台積電的3奈米整整8個世代」，包含45奈米、32奈米、22奈米、14奈米、10奈米、7奈米、4奈米再到3奈米。
楊應超解釋，這8代的製程差距還是存在，雖然中國已經突破了光刻機的第一道關卡，這之後跳躍一、二個世代進行研發是可能的，但在三四個世代之後的進展，所需的時間還是不只2年這麼短；另外製程越小，所需的技術就越困難，因此當進度到越來越後面，研發時間就越拉越久，總而言之，中國成功自產光刻機雖然是很值得慶祝的事情，只是從技術上來講，還差得很遠。
楊應超強調，就算中國比較快去做技術發展，但要趕上現在台積電的3奈米進度，在怎麼快也要5到10年的時間；而且光刻機大廠ASML的優勢在於，他們可以跟台積電、英特爾、三星等晶圓代工廠互相合作，去作出符合客戶要求的光刻機，但中國光刻機就沒有這個優勢，只能跟中芯互相切磋，但中芯的技術又沒有台積電厲害，所以在這方面也是有點吃虧的。
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