聯電及旗下宏誠創投將透過股份交換方式，雙方換股比例為聯電1股換發頎邦0.87股，聯電取得頎邦9.09%股權，將成為頎邦最大單一股東。聯電資深副總經理暨財務長劉啟東表示，雙方將藉此建立長期策略合作關係。
晶圓代工廠聯電及半導體封測廠頎邦晚間召開重大訊息說明記者會，聯電由劉啟東出席說明與頎邦進行股份交換事宜。
他表示，頎邦將增資發行普通股新股6,715萬2,322股作為對價，受讓聯電增資發行普通股新股6,110萬7,841股及宏誠創投持有的聯電已發行普通股1,607萬8,737股。
雙方換股比例為聯電1股換發頎邦0.87股，以頎邦今天收盤價81.1元計，聯電每1股換得頎邦股份市值約70.557元，略高於聯電今天的收盤價70元。
劉啟東表示，預計換股交易完成後，聯電及宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，將成為頎邦單一最大股東；頎邦則將持有聯電約0.62%股權。
劉啟東指出，聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0.6微米的製程技術。
他說，頎邦的技術製程主要聚焦面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測（WLCSP），並持續投入扇出型系統級封裝（FOSiP）及覆晶系統型封裝（FCSiP）等相關高階先進封裝技術製程開發。
劉啟東表示，聯電為台灣最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商，亦率先成功使用28奈米高壓製程於主動式有機發光二極體（AMOLED）面板驅動IC，並已進階至22奈米。
頎邦則是驅動IC封測代工領導廠商，劉啟東說，聯電與頎邦將在驅動IC領域密切合作，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，共同提供面板業界一元化的解決方案。
此外，聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵（GaN）功率元件與射頻元件製程開發，鎖定高效能電源功率元件及5G射頻元件。
頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，服務項目包括覆晶凸塊（Bumping）、厚銅重佈線（RDL）及晶圓級晶片尺寸封測，適用晶圓材質除了矽（Si）外，也已經開始量產在砷化鉀（GaAs）等化合物晶圓上。
劉啟東表示，頎邦並致力開發覆晶系統級（FCSiP）、扇出型系統級（FOSiP）等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈的上、下游，兩家公司將通力合作。
劉啟東說，基於雙方多年來已在驅動IC領域密切聯繫合作，雙方董事會決議以換股方式，相互取得對方股權，進一步強化雙方長期策略合作關係。
責任編輯/周岐原
