荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）計畫於2030年推出針對1奈米以下製程的Hyper-NA極紫外光機（EUV），然而有韓媒認為，雖然這是半導體產業邁入埃米（angstrom）時代的必要設備，要價多達7.24億美元（折合約237億台幣）以上的高昂生產成本恐怕會讓台積電、三星、英特爾都望而卻步。
根據《朝鮮日報》報導，艾司摩爾的現有EUV設備每台售價約1.81億美元（約新台幣59億元），而新一代high-NA EUV價格更是倍增至3.62億美元（約新台幣118億元），預期Hyper-NA EUV的售價將超過7.24億美元。
台積電多重圖形化技術是解方
台積電過去引進EUV設備的速度比三星還要晚，通過利用現有設備升級多圖案化技術，以減輕新進設備帶來的成本負擔；不過台積電先前就指出新一代的high-NA EUV設備過於昂貴，業務開發資深副總經理張曉強多次表示，1.6奈米製程節點不一定需要EUV技術。
根據報導，一名半導體業界主管就指出，台積電將盡可能提升現有EUV設備的性能，以多重圖形化技術使用該設備，並評估導入新設備的規模，試圖延後導入high-NA和Hyper-NA EUV。
Intel採用新設備卻賠慘
三星同樣在考慮採用high-NA設備，但隨著Hyper-NA的推出，三星的中長期戰略也在調整中。一名消息人士就表示，現在就採用high-NA設備，對於1奈米以下製程的中長期計劃來說可能是糟糕的選擇；基於Hyper-NA的出現，三星可能會選擇盡量使用現有EUV，跳過high-NA，直接轉向Hyper-NA。
英特爾是率先採用high-NA EUV的晶圓廠，但去年代工業務虧損高達70億美元，今年第1季的營運虧損也創下紀錄，原因就是因為採用昂貴的新一代EUV設備，導致購買成本負擔太高。
對此ASML指出，high-NA EUV將使英特爾能夠生產2奈米至14埃米（1.4奈米）及10埃米（1奈米）至7埃米（0.7奈米）製程的晶片。該公司強調，Hyper-NA是未來埃米級製程的必要設備，「許多公司將採用Hyper-NA EUV，以降低多重圖形化製程的風險」。
