第3代半導體碳化矽、氮化鎵，是半導體提高效能的解方之一。在效率更高、體積更小的情形之下，有哪些產業會跟著第3代半導體一起成長茁壯？
第三代半導體雖然發展已經有一段時間，不過，其實今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國在今年發布的「145規畫」（第14個5年規畫），將第三代半導體納入其中，再度引起市場對第三代半導體的關注。（延伸閱讀：風評：當中國經濟成長目標降到5.5%時─談十四五計劃）
第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），與第一代半導體材料的矽（Si）、第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs）相比，有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用於5G基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域，也是目前為止，技術已經足以應用商業化的產品。
國際各大廠科銳（Cree）、英飛凌（Infineon），以及羅姆（ROHM）已進入量產碳化矽的階段。過去3年來，碳化矽、氮化鎵等化合物成本，已下降20％至25％，將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。
至於台灣，漢磊（3707）是台廠當中，在碳化矽、氮化鎵領域，著墨最深的指標大廠。
6吋碳化矽已在試產 漢磊、嘉晶明年出貨看俏
今年6月，漢磊與旗下子公司嘉晶（3016）在碳化矽、氮化鎵領域，已開始加速布建產能，瞄準市場對於第三代半導體的需求，6吋碳化矽晶圓已在試產階段，客戶端對於電動車需求最大。漢磊在第三季法說會上表示，下半年只要通過客戶驗證，對於明年出貨量、營收的貢獻，有望較今年成長。
尤其是最近熱門的電動車族群，是第三代半導體瞄準的重要領域。漢磊的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。
除了漢磊，上游晶圓廠中美晶（5483）8月投資35億元，入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086），投入氮化鎵的製程開發，有望能達成上下游互補效應，取得綜效，未來在半導體化合物的市場中，發展潛力值得關注。（延伸閱讀：台股攻破14000關卡，15000將是較大的壓力區）
想將氮化鎵應用在5G基地台，就必須從基地台的功率放大器（PA）切入。宏遠投顧分析師翁浩軒指出，在現行PA市場，仍使用材料為矽的「橫向擴散金屬氧化物半導體技術」（LDMOS），由於LDMOS僅適用低頻段，5G使用的3.5GHz高頻段，已觸碰到LDMOS製程的天花板。
隨著5G朝向更高頻段發展下，目前只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求，自然也成為未來5G基地台的主要材料。
