英特爾（Intel）搶先導入艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備，為外界視為是英特爾重返技術領導地位的關鍵作為。產業專家表示，High-NA EUV成本居高不下，英特爾搶用High-NA EUV恐面臨虧損擴大窘境。
台積電年度技術論壇陸續於美國及歐洲舉行，台灣場技術論壇將於5月23日登場。台積電預計2026年量產A16技術，將結合奈米片電晶體及超級電軌架構，為業界關注焦點。
當英特爾搶訂High-NA EUV設備，韓國媒體引述消息人士報導，ASML今年預計製造5台High-NA EUV設備，已全數由英特爾包下。台積電決定A16製程將持續採用既有EUV設備，不打算使用High-NA EUV設備，受到各界矚目，並引發熱烈討論。
英特爾執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為先前反對使用ASML的EUV設備是錯誤決策，拖累晶圓代工事業欠缺獲利能力。他指出，在採用EUV設備後，英特爾在價格、性能方面都很有競爭力。外界關注英特爾搶先導入High-NA EUV設備，能否有助其重返技術領先地位。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說，台積電會決定A16製程不採用High-NA EUV設備，應是經過綜合評估的決策。
楊瑞臨表示，台積電應明確知道High-NA EUV設備帶來的好處，不過，在成本居高不下的情況下，透過其他方式，以滿足客戶的綜合需求。
據ASML指出，High-NA EUV設備將數值孔徑從0.33增至0.55，更具高解析度圖像化能力，能夠提高精準度，成像更清晰，有助簡化製造流程，減少生產時間，提升生產效率。
台積電業務開發資深副總經理暨副共同營運長張曉強日前於歐洲技術論壇說，他喜歡High-NA EUV設備的性能，但不喜歡它的價格，成本非常高。
ASML每套EUV設備價格約1.8億美元，High-NA EUV設備報價高達3.8億美元，較EUV高出1倍以上，約新台幣122億元。
楊瑞臨表示，半導體先進封裝重要性日益提高，將扮演關鍵配套角色，英特爾爭搶High-NA EUV設備，是「選錯戰場、武器」，因為High-NA EUV設備不是未來左右輸贏的唯一關鍵。
楊瑞臨說，台積電為全球晶圓代工龍頭，客戶多、生態系完整，且資金充裕，客戶若有需求且願意支付更高價格，台積電勢必會採用High-NA EUV設備。
楊瑞臨表示，台積電採用High-NA EUV設備持審慎態度，應已綜合考量必要性，英特爾若大舉採購High-NA EUV設備，未來產能利用率值得觀察，預期不排除可能面臨虧損擴大的窘境。
