三星電子高管崔珍奭去年被指控竊取半導體技術，5日又因為新指控再次遭到法院下令羈押。
首爾中央地方法院法官金美京5日簽發羈押令，以「可能逃逸」為由再次拘留三星電子前常務兼晶片專家崔珍奭（66歲），但法院拒絕提供進一步細節，三星電子對此也拒絕置評。崔珍奭的律師金必成表示，崔珍奭否認有任何不當行為，並稱他被指控洩露的資訊都是公開資訊。
崔珍奭此前曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖在中國開設「三星電子山寨工廠」而被羈押，但於去年11月獲得保釋。金必成告訴《路透》，崔珍奭現在面臨新的指控，涉嫌洩露三星電子20奈米DRAM晶片製造工藝的相關資訊。
崔珍奭曾擔任三星電子常務和海力士（現為SK海力士）副社長，是南韓晶片行業的明星人物之一。《路透》指出，這起案件顯示南韓正積極打擊產業間諜，以及阻止中國在晶片製造領域取得進展。據《朝鮮日報》報導，崔珍奭涉嫌將包含20奈米級晶片生產所需的溫度、壓力等600多道製程核心資訊洩露給他在中國創立的成都高真科技。
《路透》去年6月曾披露檢方對崔珍奭的起訴書，指控崔珍奭於2018年與台灣的富士康公司簽署合約後，從三星挖走大批員工、甚至潛入前僱主的供應網路竊取機密情報，再將這些機密提供給新客戶，協助他們在中國建立晶片工廠。檢方指控，崔珍奭給三星造成超過2億美元的損失，不過崔珍奭透過律師否認所有指控，並稱崔珍奭只是韓國捲入中美競爭的替罪羊。
