在製程上彎道超車的危險性
技術和製程的突破，是一個長期累積的過程。中芯或三星一直強調「彎道超車」，這是非常大的錯誤。首先，這個世界沒有這麼多彎道給你超車，而且彎道超車是最危險的，萬一對向來的是大卡車呢？我們先來看一個「前車之鑑」。
從早期的晶圓製程一直到 22 奈米，英特爾的技術都是領先的，而且是無可撼動的龍頭地位。大概在 2016 年進入 14 奈米的時候，開始被台積電超車。台積電從 22 奈米到 14 奈米，是循序漸進的，但英特爾竟然是從 22 奈米，直接跳到 14 奈米。為什麼要提這件事？因為到 20 奈米以後，製程技術的突破就非常困難了。
怎麼說呢？奈米遠遠小於人類視覺可觀察的範圍，我們看不到也摸不到奈米。通常，肉眼可見的在 1 毫米到 100 公尺之間，光學顯微鏡可見範圍大約是 1 毫米到 100 奈米，細菌大約是 2 到 3 微米，病毒更小，大約只有幾十奈米，要靠電子顯微鏡才能看見。以 1 奈米等於 10 億分之 1 公尺來計算，如果把地球縮小為奈米尺寸的話，那麼地球大約只有一顆玻璃彈珠那麼大。
進入 20 奈米以下的製程技術，代表要製作出只有五分之一病毒大小的電晶體結構。電晶體愈做愈小，也使得閘極與通道之間的接觸面積過小，結構容易漏電。直到美國加州大學柏克萊分校的微電子學家胡正明、Tsu-Jae KingLiu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了 FinFET（Fin Field Effect Transistor，鰭式場效電晶體），才解決問題。
中國大陸這幾年掀起芯片熱，某電視節目主持人問主講者，「為什麼我們原子彈做得出來，晶片做不出來？」主講者回答：「因為台灣有兩個人，一個是張忠謀，一個是胡正明。」胡正明曾任台積電技術長，而 FinFET 正是閘極長度縮小到 10 奈米以下的關鍵。過去幾年台積電與三星的技術競爭中，台積電幾乎完勝三星，這和台積電擁有成熟的 FinFET 製程與專利密不可分。
另一方面，台積電在 20 奈米以下先進製程追上後，英特爾決意「彎道超車」，從 22 奈米直接切入 14 奈米。然而，因為跳躍幅度太大，讓一向在製程上領先的英特爾，也在 2020 年第二季財報上透露， 7 奈米製程技術存在「嚴重缺陷」，只能延後量產，預計要到2022下半年才能亮相。
